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三星Galaxy S23 FE已经在Geekbench 6 OpenCL测试中现身,并取得了8986分的高分。从CPU相关信息来看,可以基本确定该手机采用Exynos 2200芯片。
据透露,Exynos 2200芯片采用三星最新的4nm EUV工艺制造而成。该芯片采用了“1+3+4”的设计架构,其中核心配置包括一个高性能的Cortex X2超大核、三个Cortex A710大核和四个Cortex A510小核。此外,该芯片还搭载了一款采用AMD RDNA 2架构的GPU,名为Xclipse 920。
新机将会采用一块120Hz OLED屏幕,前置12MP自拍镜头,后置50MP主摄+8MP长焦+12MP超广角三摄,另内置4500mAh容量电池,支持25W快充。
OhLeaks放出了三星Galaxy S23 FE的渲染图,整体设计看起来变化不大。